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0.8μm Flash Memory工艺技术研究
随着时代的发展，信息的存储越来越为人们所关注。其中，非挥发性存储器是一种成功的信息存储单元，它们具有一个基本的特点，即：在移去电源后，它们所存储的数据不会丢失。这一特点使它们在各个领域得到广泛的应用。
最早的非挥发性存储器是ROM，即只读存储器。由于ROM缺乏灵活性，不能由用户根据需求自主输入数据，因此应用范围很窄。随后出现了由用户编程的PROM，初期的PROM只能编程一次，一般是由可熔断的电阻和晶体管串联而构成PROM单元。因为编程常需要修改，因此开发了可擦的多次编程ROM，称为EPROM。这种ROM单元是采用两层栅的浮栅MOS结构，由漏区热电子获得足够的能量，越过势垒进入浮栅。EPROM的缺点是不能进行在线擦除，还要用紫外光照源及在管壳上留出光照窗口，在使用和制造方面均不方便。后来进一步开发出通过电子隧道效应进行擦，写的EEPROM ，免除了紫外光照之不便，可以进行在线电擦电写，但它的单元结构较复杂，面积较大，不易做成很高的集成容量。
随着工艺技术的进步，小尺寸的单管单元的EEPROM被研制成功。由于擦除时靠其源区加高压进行全片擦除，因此被称为快闪存储器（FLASH MEMORY）。它是EPROM和EEPROM相结合的产物，因而具有了两者的优点，又克服了它们的缺点。它具有集成度高,成本低,价格合理,可进行在线电擦除等优点,广泛应用在:（1）个人计算机方面；（2）办公系统方面；（3）计算机辅助设计方面；（4）数字式照相机；（5）手提式录音机；（6）IC卡等。因而成为各存储器厂商竞相追逐的目标，但由于其工艺复杂，至今只有国外的Intel，Toshiba，Seeq，TI等大公司有能力生产。我国自从90年代中期开始对其研究，由于生产技术落后，至今未有厂家可独立生产此芯片。其中华晶中央研究所经几年的艰苦努力，已取得很大进展，预计明年可生产出样片。本文首先介绍它的工作原理，并把它和EPROM，EEPROM比较，最后着重探讨其工艺实现过程。于是我们首先开发了一套1.0μm的EEPROM工艺，在此基础上，根据Flash Memory的结构和工艺特点，开发出一套0.8μm的工艺。
毕业设计说明书目录
前 言 1
第1章 1
1.1可擦除可编程只读存储器 1
1.2 电可擦除可编程只读存储器EEPROM 2
1.3 Flash Memory 和EPROM 4
1.4 Flash Memory 和EEPROM 4
第2章 6
2.1 单元结构和工艺 8
2.2 数据写入 9
2.3 擦除 11
第3章 13
3.1 CMOS 工艺简介 13
3.2 EEPROM 工艺流程 16
3.3 衬底材料和N阱制备 19
3.4 确定有源区 21
3.5阈值电压调整和栅氧化. 22
3.6 多晶硅淀积和高压管注入 23
3.7 源漏注入 24
3.8 后道工序 24
第4章 27
4.1 Flash Memory的工艺模块图 27
4.2 薄栅氧化层 28
4.3 ONO结构 30
4.4 SAMOS光刻技术 31
4.5 隔离技术 32
4.6 互连金属的选择 33
参考文献 34
参考文献
1 EEPROM和 Flash Memory 于宗光著 中国电子学会第二届 青年学术论文集 46页
2 微电子技术 1996.4. 33页 20nm氧化层生长技术 倪立华著
3 超大规模集成电路技术 (美) 施敏 著 科学出版社
4 快闪存储器用户指南 Intel 公司 电子工业出版社
