上传资源得积分
:sj52abcd0.5μm CMOS PCM版图设计及测试分析
摘要：PCM（process control monitor）技术是一项用来全面监督和控制生产线工艺状况的质量监控技术，它可以实现对半导体集成电路设计与制造过程的在线控制，对新工艺器件的开发提供技术支持。
关键词：半导体技术，PCM版图设计，测试分析
1 引言 3
2 PCM 测试简介 3
2.1 作用 3
2.2 种类 4
2.3 PCM测试系统的组成 4
3外界因素对 PCM 测试的影响 4
3.1 光照对三极管 Iceo 的影响 4
3.2 场效应管小电流测试注意的问题 5
3.2.1 消除直流漏电流的措施 5
3.2.2 消除杂散电容耦合干扰的措施 5
3.2.3 消除传输线寄生电容充电干扰的措施 5
3.2.4 消除交流噪声干扰 6
3.2.5 消除公共阻抗造成的干扰 7
4主要检测结构及分析 7
4.1薄层电阻检测结构 7
4.1.1范得堡检测结构 7
4.1.2十字形体测结构 8
4.2金属-半导体接触电阻检测结构 8
4.2.1多接触面窗口平面电阻检测结构 9
4.2.2孔链检刚结构测试接触窗口电阻 10
4.3晶体管器件检测结构 10
4.3.1晶体管检测结构 10
4.4单极特性（二极管特性）检测结构 10
4.4.1集成二极管特性 10
4.4.2单极（PN）结特性 11
4.4.3衬底击穿效应检测结构 11
4.5层间电容、MOS电容检测结构 11
4.5.2 N+、P+固定电容（Cn+、Cp+）质量检测结构 12
5 PCM 测试方法的优化 13
5.1 如何缩短延迟时间 13
5.2 同步测量 13
5.3 对测试采样信号类型的选取 13
5．4 寻求最快速测试方式 13
5.4.1 用扫描的方法 14
5.4.2 单点测试的方法 15
5．5 考虑测试头(探针台)的接触速度 15
5.6PCM 参数测试的合理顺序 16
5.6.1 BICMOS集成电路芯片测试顺序问题 16
5.6.2 对IPCM测试中某NPN三极管Iceo参数 16
6 PCM 参数的多元回归模型及其应用 17
6.1PCM参数 17
6.2 PCM 参数的多元回归建模 17
6.3 回归模型的应用 20
7 CMOS PCM 的测试 20
7.1 薄栅氧化层中的电荷及击穿机理 20
7.2击穿评价参数 21
7.3 流片测试结果 23
7.4 0.5μm PCM测试结构 32
Typ 34
8小结 36
9 附录 36
10参考文献 36
参考文献
[1] 李国富.基于正交拉丁方的数字图像置乱方法[J ] .北方工业大学学报 ,2001 ,13 (1) :14 – 16.
[2] 王冬梅 ,黄琳 ,王金荣. 幻方变换加密数字全息图[J ] .浙江工业大学学报 ,2007 ,35 (1) :116 – 118.
[3] 刘家胜 ,黄贤武 ,朱灿焰 ,等. 基于混沌与小波变换的图像加密算法[J ] . 微电子学与计算机 ,2007 ,24 (12) :6 -8.
[4] 柏森 ,廖晓峰. 基于 Walsh 变换的图像置乱程度评价方法[J ] . 中山大学学报:自然科学版 ,2004 ,43 (A02) :58- 61.
[5] 樊昌信 ,张甫. 通信原理[M] . 北京:国防工业出版社 ,2006 :379 – 390.
[6] 沈思宽 1 彩色AC2 PDP 电路系统关键技术研究 [D ]1西安: 西安交通大学, 20001 2251.
[7] 宋万杰, 罗丰, 吴顺君 1 CPLD 技术及其应用 [M ]1 西安: 西安电子科技大学出版社, 19991 512621.
[8] Chen Guanrong , Mao Yaobin , Chui Charles K. A sym2metric image encryption scheme based on 3D chaotic catmaps[J ] . Chaos , Solitons and Fractals , 2004 ,21 (3) :749- 761.
[9] Yamamo to A , Taji maM , U eda T , et al1W ave gen2erat i on circuit fo r reading rom data and generat ingw ave signals and f lat mat r ix disp lay apparatus usingthe same circuit [P ]1U S Patent : 60521051 20002042181.
[10] Singhal K, V isvanathan V. Stat ist ical device modelsf rom wo rst case f iles and elect r ical test data [ J ] .IEEE T rans Sem iconducto r M anufactur ing, 1999; 12(4) : 4702484.
