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:sj52abcd0.5μmCMOS金属硅化物工艺技术研究
摘要：金属硅化物技术的应用减少了源漏电极和栅电极的薄膜电阻，降低了接触电阻，并缩短了与栅相关的RC延迟。主要阐述了金属硅化物的生成机制、两种金属硅化物TiSi2和NiSi的薄膜电阻性质、使用自对准工艺制备TiSi2和NiSi的工艺流程，使用自对准工艺可能存在的Bridging、扩散区漏电流、稳定性等问题。对两种金属硅化物工艺进行了比较和总结，并在一定程度上改善了制备TiSi2的工艺条件。对于0.5μmCOMS工艺而言，金属硅化物TiSi2是一个好的选择。
关键词：TiSi2，NiSi，金属硅化物，自对准硅化物技术，Bridging
毕业设计说明书目录
1 绪论…………………………………………………………………………………………1
2 硅化物生成机制……………………………………………………………………………2
2.1第一生成相与多相同时生成……………………………………………………………2
2.2 硅化物生长速率…………………………………………………………………………3
2.3 移动原子种类……………………………………………………………………………3
2.4 硅化物生成………………………………………………………………………………4
3 金属硅化物技术指标………………………………………………………………………5
4 不同金属硅化物薄膜的电阻率……………………………………………………………5
4.1常规TiSi2 薄膜的方块电阻与线宽的关………………………………………………5
4.2 NiSi 薄膜的方块电阻与退火温度和线宽的关系………………………………………6
5 金属硅化物的制备方法……………………………………………………………………7
5.1 制作TiSi2硅化物的工艺模块流程………………………………………………………8
5.2 NiSi形成工艺……………………………………………………………………………11
5.3自对准金属硅化物制备的可能问题点 ………………………………………………14
6 两种金属硅化物工艺的对比与总结及改善……………………………………………15
6.1 两种金属硅化物工艺对比……………………………………………………………15
6.2 两种金属硅化物工艺总结……………………………………………………………18
6.3 TiSi2金属硅化物工艺的部分改善……………………………………………………19
总结…………………………………………………………………………………………21
参考文献……………………………………………………………………………………21
参考文献
【1】. Stephen A.Campbell著 曾莹等译 微电子制造科学原理与工程技术（第二版） 电子工业出版社 2004
【2】. James D.Plummer Michael D.Deal等著 严利人等译 硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型 电子工业出版社 2005
【3】.赵文彬 专用0.5μmCOMS工艺开发及其高压技术研究
【4】.屠海令 王磊 杜军 半导体集成电路用金属硅化物的制备 稀有金属 2009
【5】. 田波 吴郁等 采用优化的腐蚀工艺对TiSi2接触特性的改善 北京工业大学学报 2009
【6】.尚海平 徐秋霞 镍硅化物工艺新进展 微电子学 2009
【7】.王大海 万春明 徐秋霞 自对准硅化物工艺研究 微电子学 2004
【8】.奚雪梅 徐立等 自对准硅化COMS/SOI技术研究 半导体学报 1995
【9】.王万业等 亚微米COMS IC中自对准硅化物工艺的研究 微电子学 2002
